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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPI50R299CP
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPI50R299CP由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI50R299CP价格参考。InfineonIPI50R299CP封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPI50R299CP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPI50R299CP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPI50R299CP 是英飞凌（Infineon）推出的 500V、299mΩ（典型值）的 N 沟道增强型 CoolMOS™ C3 系列高压功率 MOSFET，采用 TO-220FP 封装（带绝缘底板，适合散热器安装）。其典型应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：广泛用于服务器/通信电源、工业电源及 ATX 主机电源中的 PFC（功率因数校正）升压电路和主 DC-DC 转换器（如 LLC 或准谐振反激），凭借低导通电阻与优化的开关损耗，提升效率并减小温升。 - 不间断电源（UPS）与光伏逆变器：适用于中功率（1–3kW级）单相逆变桥臂或DC/AC转换级，兼顾高电压耐受能力（500V）与快速开关性能，支持高频设计以缩小磁性元件体积。 - 电机驱动与工业控制：用于中小功率变频器、伺服驱动器的输出级，或智能功率模块（IPM）的分立替代方案，满足对可靠性和短路耐受能力（具备一定雪崩能力）的要求。 - LED 驱动与充电器：在高效率、高功率密度的离线 LED 恒流驱动或快充适配器（如65W以上）中，作为主开关管，配合准谐振或ZVS拓扑实现低EMI与高能效。 该器件支持10V栅极驱动，具备良好的dv/dt抗扰性与过温保护兼容性，适用于对效率、可靠性及空间受限有较高要求的中高压、中功率工业与消费类电源系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 12A TO262-3MOSFET CoolMOS Power Transistor |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPI50R299CPCoolMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPI50R299CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a304320896aa20120d24ec76250de |
| 产品型号 | IPI50R299CP |
| Pd-PowerDissipation | 104 W |
| Pd-功率耗散 | 104 W |
| Qg-GateCharge | 23 nC |
| Qg-栅极电荷 | 23 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 299 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 299 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 550 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 550 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 14 nS |
| 下降时间 | 12 nS |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 440µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1190pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 299 毫欧 @ 6.6A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 其它名称 | IPI50R299CPXKSA1 |
| 典型关闭延迟时间 | 80 nS |
| 功率-最大值 | 104W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
| 系列 | IPI50R299 |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPI50R299CPXKSA1 SP000523748 |
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