Datasheet下载- 型号： IPI04N03LA
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPI04N03LA由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI04N03LA价格参考。InfineonIPI04N03LA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPI04N03LA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPI04N03LA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPI04N03LA 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的低压N沟道增强型功率MOSFET，采用SOT-223封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 45 mΩ @ VGS = 10 V）、高开关速度和良好热稳定性。其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：常用于同步整流、降压（Buck）转换器的下管或负载开关，适配5–12 V输入系统（如USB供电设备、PoE受电端）； - 电池管理系统（BMS）：用作电池保护电路中的充/放电控制开关，支持过流/短路快速关断； - 电机驱动：适用于小功率直流电机（如风扇、微型泵、玩具电机）的H桥或单边驱动，耐受峰值电流达12 A； - LED驱动与调光：作为PWM调光开关，实现高效恒流控制； - 工业与消费类电子负载开关：在智能插座、IoT设备、安防模块中实现电源域隔离与上电时序管理。 该器件具备逻辑电平驱动能力（VGS(th) 1–2.5 V），可直接由MCU GPIO控制，无需额外驱动芯片，简化设计并降低成本。其SOT-223封装兼顾散热性与PCB空间效率，适合紧凑型板级应用。注意实际使用中需合理设计PCB铜箔散热及栅极驱动（避免振荡），并留有足够电压/电流裕量以确保长期可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 80A TO-262 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP04N03LA_Rev1.9_G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42a8458437d |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPI04N03LA |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 60µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3877pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.2 毫欧 @ 55A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 其它名称 | IPI04N03LAIN |
| 功率-最大值 | 107W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
