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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IPI041N12N3G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI041N12N3G价格参考。InfineonIPI041N12N3G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPI041N12N3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPI041N12N3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPI041N12N3G 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的高性能增强型N沟道功率MOSFET,采用OptiMOS™ 3技术,具有120V耐压、41mΩ典型导通电阻(RDS(on))、高电流能力(ID = 90A,TC=25°C)及优异的开关性能与热稳定性。 其典型应用场景包括: ✅ 汽车电子:用于车载DC-DC转换器、电机驱动(如电子助力转向EPS、冷却风扇、水泵控制)、LED车灯驱动及电池管理系统(BMS)中的充放电开关;符合AEC-Q101车规认证,具备高可靠性与抗干扰能力。 ✅ 工业电源与服务器电源:在通信电源、服务器VRM(电压调节模块)、工业AC-DC/DC-DC变换器中用作同步整流或主开关管,凭借低导通损耗和快速开关特性提升效率与功率密度。 ✅ 电动工具与家用电器:适用于无刷直流(BLDC)电机控制器、变频空调压缩机驱动、吸尘器/洗衣机主驱等需高频PWM控制与高瞬态电流承载能力的场合。 ✅ 可再生能源系统:在微型逆变器、储能系统(ESS)的双向DC-DC变换器中作为高效功率开关。 该器件采用PG-TO263-7封装(带Kelvin源极引脚),支持精准栅极驱动与更低寄生电感,显著优化开关行为与EMI表现,适合高效率、高功率密度及严苛环境下的应用。