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- 型号： IPI023NE7N3G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPI023NE7N3G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI023NE7N3G价格参考。InfineonIPI023NE7N3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPI023NE7N3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPI023NE7N3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPI023NE7N3G 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能增强型氮化镓（GaN）功率晶体管，属于单通道、表面贴装型常关型（e-mode）GaN HEMT，采用PG-HSOF-8封装。其典型参数包括：耐压700 V、导通电阻RDS(on)低至23 mΩ（典型值）、高开关速度、极低栅极电荷（QG）与输出电容（Coss），并集成优化的驱动兼容性与稳健的短路耐受能力。 该器件主要面向高效率、高功率密度的中高功率电源应用，典型场景包括： ✅ 服务器与通信设备的AC-DC前端整流/有源PFC电路（如图腾柱PFC拓扑），显著提升能效（>99%）并减小磁性元件体积； ✅ 数据中心和5G基站的高效DC-DC中间总线转换器（IBC）及POL模块； ✅ 工业与车载OBC（车载充电机）中的高频LLC谐振变换器或移相全桥拓扑； ✅ 高性能适配器（如65–300 W氮化镓快充）及LED驱动电源。 其GaN特性支持1–2 MHz高频开关，大幅降低滤波器尺寸与系统损耗，同时内置ESD保护与优化的驱动阈值（约5.5 V），可直接兼容主流硅基栅极驱动IC（如1EDN/1EDS系列）。需注意：须严格遵循英飞凌推荐的PCB布局（低感回路、独立源极Kelvin连接）、驱动电压（建议4.5–6 V）及热管理设计以发挥最佳性能。 综上，IPI023NE7N3G是面向下一代绿色高效电源系统的优选GaN功率开关器件。
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