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- 型号： IPD60R600E6BTMA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPD60R600E6BTMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD60R600E6BTMA1价格参考￥2.81-￥3.00。InfineonIPD60R600E6BTMA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPD60R600E6BTMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPD60R600E6BTMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPD60R600E6BTMA1是英飞凌（Infineon Technologies）推出的600V、600mΩ（典型值）、TO-252（DPAK）封装的增强型硅基N沟道功率MOSFET，采用第六代CoolMOS™ E6技术。其主要应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：广泛用于服务器、通信电源、工业电源等中高功率AC-DC转换器的PFC（功率因数校正）电路和主功率开关级，凭借低导通电阻（RDS(on)）与优化的栅极电荷（Qg），提升效率并降低温升。 - 不间断电源（UPS）与储能系统（ESS）：适用于DC-AC逆变器、电池管理中的高频开关模块，在中等功率（约100–500W）下兼顾效率与可靠性。 - 工业电机驱动与变频器：用于小功率风机、泵类及自动化设备的H桥或半桥驱动电路，支持100kHz级高频开关，减小磁性元件体积。 - LED驱动电源：在高能效、高调光比的商用/工业级LED恒流驱动器中用作主控开关。 该器件具备优异的硬换流鲁棒性、低EMI特性及内置ESD保护，适合空间受限且对热性能有要求的应用。需注意其为单个MOSFET（非半桥集成），设计时应合理搭配驱动电路与散热方案。
产品参数
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