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产品简介:
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| 参数 | 数值 |
| Id-连续漏极电流 | - 50 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 | |
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPD50P04P4-13 |
| 产品型号 | IPD50P04P4-13 |
| Pd-PowerDissipation | 58 W |
| Pd-功率耗散 | 58 W |
| Qg-GateCharge | 39 nC |
| Qg-栅极电荷 | 39 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 12.6 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 3 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 28 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 12.6 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 汲极/源极击穿电压 | - 40 V |
| 漏极连续电流 | - 50 A |
| 系列 | IPD50P04 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPD50P04P413ATMA1 SP000840204 |