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  • 型号: IPD50N04S3-08
  • 制造商: Infineon
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IPD50N04S3-08产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3MOSFET OPTIMOS-T PWR-TRANS N-CH 40V 50A 7.5mOhm

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

50 A

Id-连续漏极电流

50 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPD50N04S3-08_DS_1_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304412b407950112b42ba8f445c6

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPD50N04S3-08OptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IPD50N04S3_08-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304412b407950112b42ba8f445c6&ack=t

产品型号

IPD50N04S3-08

Pd-PowerDissipation

68 W

Pd-功率耗散

68 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

8 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

7 ns

下降时间

6 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 40µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2350pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

35nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7.5 毫欧 @ 50A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO252-3

其它名称

IPD50N04S3-08CT

典型关闭延迟时间

16 ns

功率-最大值

68W

包装

剪切带 (CT)

商标

Infineon Technologies

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

50A (Tc)

系列

xPD50N04

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

IPD50N04S308ATMA1 SP000261218

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