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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IPD14N06S2-80由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD14N06S2-80价格参考。InfineonIPD14N06S2-80封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPD14N06S2-80参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPD14N06S2-80 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPD14N06S2-80 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用PG-TO252-3(DPAK)封装,具有60V耐压、14A连续漏极电流(Tc=25°C)、典型导通电阻Rds(on)低至8.0mΩ(Vgs=10V),并集成体二极管,具备良好的开关性能与热稳定性。 该器件主要面向中等功率、高效率的DC-DC转换与负载开关应用,典型应用场景包括: ✅ 汽车电子:车载LED照明驱动、车身控制模块(BCM)中的继电器/电机驱动、雨刷/车窗升降等12V系统负载开关; ✅ 工业控制:PLC数字输出模块、工业电源次级侧同步整流或负载切换、小型电机(如风机、泵)的H桥或单边驱动; ✅ 消费类与嵌入式电源:USB PD适配器次级侧开关、智能电表电源管理、电池供电设备的高效电源通断控制(如e-Meter、IoT网关); ✅ 通信设备:基站辅助电源、光模块供电保护电路中的过流/反向保护开关。 其符合AEC-Q101汽车级可靠性标准,具备雪崩耐量(UIS)、低栅极电荷(Qg≈22nC)和快速开关特性,适合高频(数十kHz至百kHz级)PWM工作,兼顾效率与EMI表现。需注意PCB布局时加强散热(推荐覆铜面积≥2cm²)及栅极驱动设计(避免振荡),以充分发挥其性能优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 55V 17A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 17 A |
| Id-连续漏极电流 | 17 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPD14N06S2-80_green.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a304412b407950112b43349c95af6 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPD14N06S2-80OptiMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPD14N06S2-80_green.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a304412b407950112b43349c95af6 |
| 产品型号 | IPD14N06S2-80 |
| Pd-PowerDissipation | 47 W |
| Pd-功率耗散 | 47 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 80 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 80 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 17 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 14µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 293pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 80 毫欧 @ 7A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 其它名称 | IPD14N06S280ATMA1 |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 功率-最大值 | 47W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 17A (Tc) |
| 系列 | IPD14N06 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPD14N06S280ATMA1 SP000252161 |