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  • 型号: IPB80N03S4L02ATMA1
  • 制造商: Infineon
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPB80N03S4L02ATMA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB80N03S4L02ATMA1价格参考。InfineonIPB80N03S4L02ATMA1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPB80N03S4L02ATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPB80N03S4L02ATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IPB80N03S4L02ATMA1 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用PG-TO263-3(D²PAK)封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≤ 2.0 mΩ @ VGS = 10 V)、高电流能力(ID = 80 A)及优化的开关性能。其典型应用场景包括:

- 汽车电子:广泛用于车载直流电机驱动(如车窗升降、座椅调节、冷却风扇)、LED车灯调光/驱动、DC-DC转换器(如12 V/48 V系统中的同步整流)、以及电池管理系统(BMS)中的充放电保护开关。

- 工业电源与电机控制:适用于高效率开关电源(SMPS)、伺服驱动器、变频器输出级、PLC输出模块及电动工具中的H桥或半桥功率级。

- 消费类与通用电源:用于大功率适配器、UPS、储能系统(ESS)的主开关及热插拔保护电路。

该器件具备AEC-Q101汽车级认证,支持宽温度范围(–55 °C 至 +175 °C),内置体二极管具有优异的反向恢复特性(trr短、Qrr低),可降低开关损耗与EMI,特别适合高频、高可靠性的中低压(30 V)大电流应用。
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