Datasheet下载- 型号： IPB22N03S4L-15
- 制造商： Infineon
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB22N03S4L-15由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB22N03S4L-15价格参考。InfineonIPB22N03S4L-15封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB22N03S4L-15参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB22N03S4L-15 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPB22N03S4L-15 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能低压N沟道增强型MOSFET，采用PG-TO263-3（D²PAK）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 1.5 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 22 A，TC = 25°C）及优异的开关性能。其典型应用场景包括： - 汽车电子系统：广泛用于车载DC-DC转换器、电动助力转向（EPS）、车身控制模块（BCM）、LED车灯驱动及电机控制（如风扇、水泵驱动），满足AEC-Q101车规认证，具备高可靠性与抗干扰能力； - 工业电源与电机驱动：适用于高效开关电源（如服务器/通信电源的同步整流）、工业变频器、BLDC电机驱动桥臂，得益于低导通损耗和快速开关特性，可提升系统能效与热管理表现； - 消费类高功率设备：如大功率充电器、便携式工具电池管理系统（BMS）中的充放电保护开关、智能家电（空调、洗衣机）的主功率开关等。 该器件支持逻辑电平驱动（VGS(th) ≈ 1.0–2.0 V），兼容3.3 V/5 V MCU直接控制，简化驱动设计；内置ESD保护与雪崩耐量（EAS = 220 mJ），增强系统鲁棒性。综合性能使其成为中高功率、高可靠性应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3MOSFET OPTIMOS-T2 PWR-TRANS 30V 22A 14.6mOhms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 22 A |
| Id-连续漏极电流 | 22 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB22N03S4L-15OptiMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I22N03S4L-15_DS_2_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b426fb903b3b |
| 产品型号 | IPB22N03S4L-15 |
| Pd-PowerDissipation | 31 W |
| Pd-功率耗散 | 31 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 14.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 14.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 上升时间 | 2 ns |
| 下降时间 | 2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 10µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 980pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14.6 毫欧 @ 22A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
| 其它名称 | IPB22N03S4L-15INDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 功率-最大值 | 31W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 22A （Tc） |
| 系列 | IPB22N03 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPB22N03S4L15ATMA1 SP000275308 |
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