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- 型号： IPB200N15N3
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB200N15N3由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB200N15N3价格参考。InfineonIPB200N15N3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB200N15N3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB200N15N3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPB200N15N3 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TO263-3封装（D²PAK），具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅1.8 mΩ @ VGS=10 V）、高电流能力（ID = 200 A，TC=25°C）及优化的开关特性，适用于高效率、高功率密度的电源系统。 典型应用场景包括： ✅ 汽车电子：车载DC-DC转换器（如48V/12V双向降压或升压变换器）、电动助力转向（EPS）电机驱动、电池管理系统（BMS）中的主动均衡与充放电开关；符合AEC-Q101车规认证，具备高可靠性与抗干扰能力。 ✅ 工业电源：服务器/通信电源的同步整流、大功率UPS逆变器输出级、工业电机驱动的半桥/全桥功率级。 ✅ 可再生能源：光伏组串式逆变器的MPPT升压电路及并网逆变桥臂，得益于其低损耗与快速开关性能（tfall ≈ 30 ns），可提升系统效率并降低散热需求。 该器件支持15 V栅极驱动，兼容主流隔离驱动IC；内置ESD保护与雪崩耐量（EAS = 1100 mJ），增强了系统鲁棒性。需配合优化PCB布局（低感回路、充足铜箔散热）及合理驱动设计以发挥最佳性能。
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