Datasheet下载- 型号： IPB180N03S4L-01
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB180N03S4L-01由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB180N03S4L-01价格参考。InfineonIPB180N03S4L-01封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB180N03S4L-01参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB180N03S4L-01 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPB180N03S4L-01 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能低压N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TDSON-8封装（底部散热焊盘），具有极低导通电阻（RDS(on)典型值仅1.8 mΩ @ VGS=10 V）、高电流能力（ID达180 A）及优异的开关性能与热稳定性。 其主要应用场景包括： ✅ 汽车电子：广泛用于车身控制模块（BCM）、LED前照灯/尾灯驱动、电动座椅/车窗电机控制、DC-DC转换器（如12V→5V/3.3V）等，符合AEC-Q101车规认证，支持-40°C至175°C结温，具备高可靠性与抗瞬态电压能力。 ✅ 工业电源与电机驱动：适用于大电流DC/DC同步整流、伺服驱动器、BLDC电机控制器中的高侧/低侧开关，尤其适合12V–24V输入系统。 ✅ 服务器与通信电源：在高密度POL（Point-of-Load）电源中作为高效同步整流管，提升能效并降低温升。 ✅ 电池管理系统（BMS）：用于智能电池保护电路中的充放电主回路开关或均衡开关，得益于低RDS(on)和强短路耐受能力。 该器件集成优化的体二极管，具备快速反向恢复特性，可减少开关损耗与EMI；同时支持并联使用以扩展电流能力。其坚固设计与先进SuperSOI技术确保在严苛工况下稳定运行，是中低压大电流应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPB180N03S4L-01_DS_1_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304324fc7f9a0125120e409b199f |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPB180N03S4L-01 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 140µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 17600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 239nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.05 毫欧 @ 100A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-7-3 |
| 其它名称 | IPB180N03S4L01ATMA1 |
| 功率-最大值 | 188W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 180A （Tc） |
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