Datasheet下载- 型号： IPB120P04P4-04
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB120P04P4-04由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB120P04P4-04价格参考。InfineonIPB120P04P4-04封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB120P04P4-04参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB120P04P4-04 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 120 A |
| Id-连续漏极电流 | - 120 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET P-Channel MOSFET '-40V -120A |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I120P04P4-04_DS10.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a30432f69f146012f784299de2e44&sId=db3a30433afc7e3e013b1efbfd6e5b02 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB120P04P4-04 |
| 产品型号 | IPB120P04P4-04 |
| Pd-PowerDissipation | 136 W |
| Pd-功率耗散 | 136 W |
| Qg-GateCharge | 158 nC |
| Qg-栅极电荷 | 158 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 52 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 49 ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | TO-263 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 系列 | IPB120P04 |
| 零件号别名 | IPB120P04P404ATMA1 SP000842270 |
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