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  • 型号: IPB100P03P3L-04
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPB100P03P3L-04由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB100P03P3L-04价格参考。InfineonIPB100P03P3L-04封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPB100P03P3L-04参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPB100P03P3L-04 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IPB100P03P3L-04 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的P沟道增强型功率MOSFET,采用PG-TO263-3封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≤ 4.0 mΩ @ VGS = −10 V)、高电流能力(ID = −100 A)及优化的开关性能。其典型应用场景包括:

1. 汽车电子:广泛用于12V车载系统中的高边/低边开关,如车身控制模块(BCM)、车灯驱动(LED前照灯、尾灯调光)、雨刮电机、座椅调节、电动后视镜等;符合AEC-Q101认证,具备高可靠性与抗干扰能力。

2. 电源管理:适用于DC-DC转换器(如同步BUCK电路中的高边或反相拓扑)、负载开关、热插拔保护及电池反向保护电路,利用其低RDS(on)降低导通损耗,提升能效。

3. 工业控制:用于PLC输出驱动、继电器替代、电机启停控制及H桥驱动(配合N沟道MOSFET)等中大功率开关场合。

4. 消费类设备:高端电源适配器、UPS、电动工具电池保护板等对效率和散热要求较高的场景。

该器件支持逻辑电平驱动(VGS(th) ≈ −2.0 V至−3.5 V),便于MCU直接控制,并具备内置ESD保护与雪崩耐量(EAS = 470 mJ),增强了系统鲁棒性。综合而言,IPB100P03P3L-04特别适用于12V汽车及工业领域中需高电流、低损耗、高可靠性的P沟道开关应用。
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