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- 型号： IPB097N08N3GATMA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB097N08N3GATMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB097N08N3GATMA1价格参考。InfineonIPB097N08N3GATMA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB097N08N3GATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB097N08N3GATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPB097N08N3GATMA1 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TDSON-8封装（即标准SO-8变体），具备低导通电阻（RDS(on) ≈ 9.7 mΩ @ VGS = 10 V）、80 V耐压、高电流能力（ID = 60 A，脉冲可达240 A）及优化的开关特性（低Qg和Ciss）。 其典型应用场景包括： ✅ 车载电子系统：广泛用于汽车12 V/24 V电源管理，如电动座椅、车窗升降、雨刮器、LED车灯驱动及DC-DC转换器（如Buck控制器中的高边/低边开关），符合AEC-Q101车规认证，具备高可靠性与抗扰性； ✅ 工业电源与电机控制：适用于中小功率无刷直流（BLDC）电机驱动、伺服驱动器、PLC输出模块及开关电源（SMPS）次级同步整流或主开关； ✅ 消费类与通信设备：用于服务器VRM、5G基站电源模块、USB PD快充适配器中的高效DC-DC变换环节； ✅ 电池管理系统（BMS）：作为充放电保护开关或均衡电路中的主控MOSFET，得益于其低导通损耗与热稳定性。 该器件支持表面贴装（SMD），具备良好热性能（RthJC ≈ 1.6 K/W），适合紧凑型高功率密度设计。综合来看，它特别适用于对效率、尺寸、可靠性和车规合规性有严苛要求的中高压、中大电流开关应用。
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