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- 型号： IPB051NE8NG
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB051NE8NG由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB051NE8NG价格参考。InfineonIPB051NE8NG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB051NE8NG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB051NE8NG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPB051NE8NG 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TO263-7-1封装（即D²PAK-7），具备低导通电阻（RDS(on) ≈ 5.1 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 120 A）及优化的开关特性。其典型应用场景包括： - 汽车电子：广泛用于48V轻混动力系统（MHEV）中的DC-DC转换器、电机驱动（如电子水泵、油泵、冷却风扇）、电池断开单元（BDU）及车载充电机（OBC）的主开关或同步整流管，满足AEC-Q101车规认证要求。 - 工业电源与服务器电源：作为高效LLC谐振变换器、相移全桥（PSFB）或同步整流BUCK电路中的主开关管，提升能效（符合80 PLUS Titanium标准）并降低热损耗。 - 太阳能逆变器：用于组串式逆变器的升压级（Boost Stage）和H桥输出级，支持高频硬开关与软开关拓扑，兼顾效率与可靠性。 - 电动工具与UPS：在高功率密度、高脉冲电流场景下提供快速开关响应与稳健短路耐受能力（10 µs短路保护兼容性）。 该器件集成优化的体二极管（反向恢复电荷Qrr低），有助于减少开关损耗与EMI；其7引脚封装额外引入Kelvin源极（SK）实现精准栅极驱动，显著抑制寄生电感影响，提升高频稳定性。适用于需高效率、高功率密度及高可靠性的中大功率（数十至数百瓦级）应用。
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