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- 型号： IPB03N03LAG
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB03N03LAG由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB03N03LAG价格参考。InfineonIPB03N03LAG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB03N03LAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB03N03LAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPB03N03LAG 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能低压N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TDSON-8封装（底部散热焊盘），具有超低导通电阻（RDS(on)典型值仅3.0 mΩ @ VGS=10V）、高电流能力（ID达120 A）及优异的开关性能。 其主要应用场景包括： ✅ 汽车电子：广泛用于车载DC-DC转换器（如12V/48V双向升降压模块）、电动助力转向（EPS）系统中的H桥驱动、车身控制模块（BCM）负载开关及LED车灯调光驱动；符合AEC-Q101车规认证，支持-40°C至175°C结温工作。 ✅ 工业电源与电机驱动：适用于高效开关电源（SMPS）、服务器/通信设备的同步整流、UPS系统输出级，以及中小功率无刷直流（BLDC）电机的半桥/全桥驱动。 ✅ 消费类高能效设备：如高端笔记本适配器、便携式充电设备中的次级同步整流、大电流USB PD快充协议芯片配套功率开关。 该器件凭借低RDS(on)和优化的栅极电荷（Qg≈60 nC），显著降低导通与开关损耗，提升系统效率与功率密度；集成的ESD保护和雪崩耐量（EAS=420 mJ）增强了可靠性。适用于需高效率、高电流密度与严苛环境适应性的中低压（30V额定）功率开关场景。
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