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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPA50R299CP
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPA50R299CP由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPA50R299CP价格参考。InfineonIPA50R299CP封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPA50R299CP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPA50R299CP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPA50R299CP 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能650V CoolMOS™ C7系列N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装，典型导通电阻RDS(on)为299 mΩ（VGS=10V），具备低开关损耗、优异的硬换向鲁棒性及增强的dv/dt耐受能力。 其主要应用场景包括： ✅ 高效率开关电源（SMPS）：广泛用于服务器、通信电源、工业电源中的PFC（功率因数校正）电路和主DC-DC变换器，尤其适合连续导通模式（CCM）PFC，可提升整机效率并满足80 PLUS Titanium等高能效标准。 ✅ 光伏逆变器：适用于组串式逆变器的DC/AC升压级与逆变桥臂，凭借C7技术的低Qg和Qoss，显著降低高频开关损耗，提升MPPT效率与系统可靠性。 ✅ 不间断电源（UPS）：在在线式UPS的逆变输出级中，支持高频PWM控制，兼顾效率与热稳定性。 ✅ 工业电机驱动与辅助电源：用于中小功率变频器的制动单元或控制板辅助电源模块。 该器件支持软开关设计（如LLC谐振），兼容高频（可达100 kHz以上）工作，且内置优化体二极管，可减少反向恢复损耗与EMI问题。需配合合理PCB布局、驱动电路（推荐12–15V栅极电压）及散热设计以发挥最佳性能。 （字数：398）
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3MOSFET COOL MOS PWR TRANS 550V 0.299 Ohms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPA50R299CPCoolMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPA50R299CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42db07348c7 |
| 产品型号 | IPA50R299CP |
| Pd-PowerDissipation | 104 W |
| Pd-功率耗散 | 104 W |
| Qg-GateCharge | 23 nC |
| Qg-栅极电荷 | 23 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 299 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 299 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 440µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1190pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 299 毫欧 @ 6.6A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-FP |
| 其它名称 | IPA50R299CPXKSA1 |
| 典型关闭延迟时间 | 80 ns |
| 功率-最大值 | 104W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 550V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
| 系列 | IPA50R299 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPA50R299CPXKSA1 SP000236079 |
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