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- 型号： IPA126N10N3G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPA126N10N3G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPA126N10N3G价格参考。InfineonIPA126N10N3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPA126N10N3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPA126N10N3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPA126N10N3G 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的双通道N沟道增强型功率MOSFET阵列，采用PG-TDSON-8封装，具有100V耐压、12.6mΩ典型导通电阻（RDS(on)）、高电流能力（ID = 60A @ TC=25°C）及优化的开关性能。其集成双管结构与低寄生电感设计，适用于高效率、高密度电源系统。 典型应用场景包括： ✅ 汽车电子：车载DC-DC转换器（如12V/48V双向升降压模块）、电动座椅/车窗驱动、LED前照灯调光控制；符合AEC-Q101认证，支持-40°C至175°C结温，满足严苛车规要求。 ✅ 工业电源：服务器/通信设备的同步整流BUCK/BOOST转换器、电机驱动H桥的上/下半桥（需搭配外部驱动或栅极控制逻辑）、PLC数字输出模块的功率开关。 ✅ 消费类与嵌入式系统：大功率USB PD快充多口适配器中的主开关管、智能家电（如变频空调压缩机辅助驱动、水泵控制）中的半桥拓扑。 该器件支持并联使用以提升电流能力，内置ESD保护与雪崩耐量（EAS = 420mJ），兼顾可靠性与设计简洁性。其低Qg和快速开关特性有助于降低开关损耗，提升系统能效（尤其在高频（100–500kHz）应用中）。 注意：实际应用中需配合合理PCB布局、栅极驱动设计（推荐12V驱动电压）及热管理（建议使用大面积铜箔散热）。
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