Datasheet下载- 型号： IL710-3B
- 制造商： NVE Corporation
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IL710-3B由NVE Corporation设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IL710-3B价格参考。NVE CorporationIL710-3B封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IL710-3B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IL710-3B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NVE Corp/Isolation Products 的 IL710-3B 是一款基于巨磁阻（GMR）技术的高性能数字隔离器，具有3.75 kVrms 隔离耐压、低传播延迟（典型值15 ns）、高共模瞬态抗扰度（>25 kV/μs）及宽工作温度范围（–40°C 至 +125°C）。其典型应用场景包括： 1. 工业自动化：用于PLC、DCS和I/O模块中，隔离微控制器与高压现场总线（如Profibus、CAN FD）或执行器接口，保障控制侧安全。 2. 电机驱动与变频器：隔离栅极驱动信号（如连接IGBT/SiC驱动芯片），防止高压侧噪声干扰MCU，提升系统可靠性。 3. 电源系统：在AC-DC、DC-DC隔离电源中实现反馈环路隔离（如次级侧电压/电流采样信号传输至初级侧控制器），满足安规要求并提升动态响应。 4. 医疗电子设备：用于病人监护仪、诊断设备中隔离数据通信通道（如SPI/I²C），满足IEC 60601-1对患者漏电流和隔离等级的严苛要求。 5. 新能源领域：在光伏逆变器、储能BMS中隔离ADC采样信号或MCU与高压电池组之间的通信，兼顾精度、速度与安全性。 IL710-3B采用SOIC-8封装，支持3.3 V/5 V双电源供电，无需外部变压器或隔离电源，简化设计。其GMR技术相比光耦具备更长寿命、更高温度稳定性及更低功耗，适用于高可靠性、长寿命及恶劣电磁环境下的关键隔离应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 隔离器 |
| 描述 | IC DGTL ISO 1CH TRI-STATE 8SOIC |
| 产品分类 | 数字隔离器 |
| 品牌 | NVE Corp/Isolation Products |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IL710-3B |
| rohs | 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | IsoLoop® |
| 上升/下降时间（典型值） | 1ns， 1ns |
| 传播延迟tpLH/tpHL（最大值） | 15ns， 15ns |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 共模瞬态抗扰度（最小值） | 30kV/µs |
| 包装 | 管件 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 100°C |
| 技术 | GMR（大型磁阻传感） |
| 数据速率 | 110Mbps |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-电源 | 3 V ~ 5.5 V |
| 电压-隔离 | 2500Vrms |
| 类型 | RS422， RS485 |
| 脉宽失真（最大） | 3ns |
| 输入-输入侧1/输入侧2 | 1/0 |
| 通道数 | 1 |
| 通道类型 | 单向 |
| 隔离式电源 | 无 |
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