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Datasheet下载- 型号： IKW25N120T2
- 制造商： Infineon
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- 要求：
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IKW25N120T2产品简介：
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IKW25N120T2 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的1200V、25A高速沟槽栅场截止型IGBT（带反并联快恢复二极管），属于单管IGBT模块，适用于中高功率、高频开关场景。其典型应用场景包括： - 工业变频驱动：如伺服驱动器、PLC控制的三相电机调速系统，凭借低导通损耗（VCE(sat) ≈ 2.1V @ 25°C）和快速开关特性（ton/toff 约100ns量级），提升能效与动态响应。 - 不间断电源（UPS）：在在线式UPS的逆变输出级，实现DC-AC高效转换，支持高频PWM调制（典型≤20kHz），减小滤波器体积；内置续流二极管优化换流可靠性。 - 光伏逆变器：用于组串式或微型逆变器的升压/逆变级，耐受1200V直流母线电压，满足IEC 62109安全要求；高短路耐受时间（≥3μs）增强系统鲁棒性。 - 感应加热与焊接电源：在谐振拓扑（如LLC、ZVS）中作为主开关器件，利用其软关断特性和低拖尾电流，降低EMI与热应力。 该器件采用TO-247封装，具备优良的热性能（Rth(j-c) = 0.8K/W）和雪崩耐量（UIS额定），适用于需高可靠性、宽温度范围（-40℃~175℃结温）及紧凑设计的工业电源与电机控制系统。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 27ns/265ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 100A |
| 描述 | IGBT 1200V 50A 349W TO247-3IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 25A |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 120nC |
| IGBT类型 | 沟道 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Infineon Technologies IKW25N120T2TrenchStop® |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IKW25N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d5a63ad1 |
| 产品型号 | IKW25N120T2 |
| SwitchingEnergy | 2.9mJ |
| TestCondition | 600V, 25A, 16.4 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.2V @ 15V，25A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
| 其它名称 | IKW25N120T2FKSA1 |
| 功率-最大值 | 349W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 195ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 240 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 标准包装 | 240 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 50A |
| 系列 | IKW25N120 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.2 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 50 A |
| 零件号别名 | IKW25N120T2FKSA1 SP000244960 |
