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  • 型号: IGTM20N50
  • 制造商: Harris
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IGTM20N50由Harris设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IGTM20N50价格参考。HarrisIGTM20N50封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IGTM20N50参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IGTM20N50 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IGTM20N50 是由 Harris Corp.(现已被 L3Harris Technologies 收购)推出的 N 沟道绝缘栅双极型晶体管(IGBT),而非传统双极结型晶体管(BJT)。需特别说明:该器件属于 IGBT(绝缘栅双极型晶体管),虽兼具 MOSFET 输入特性和 BJT 输出特性,但在标准分类中不属于“双极性晶体管(BJT)- 单个”类别——此为常见归类误差。

其典型参数包括:额定电压 500 V、集电极电流 20 A(连续)、低导通压降与快速开关特性,内置续流二极管(部分版本),采用 TO-247 封装。

主要应用场景包括:  
✅ 中小功率变频驱动(如 HVAC 风机、水泵、小型工业电机控制);  
✅ 开关电源(SMPS)中的高频硬开关或软开关主开关管;  
✅ UPS 不间断电源的逆变输出级;  
✅ 感应加热设备的功率级;  
✅ 电动汽车车载充电机(OBC)和 DC-DC 变换器(适用于 1–3 kW 级别)。

因其高输入阻抗、易驱动(栅极电压驱动)、较低的导通损耗及良好短路耐受能力,适合工作频率在 10–40 kHz 的中频功率变换场合。不适用于线性放大(如音频功放)或极高频(>100 kHz)应用。

注:Harris 已于 2019 年与 L3 合并为 L3Harris,该型号目前由 L3Harris 继续支持或已逐步纳入其功率半导体产品线,选型时建议核实最新数据手册及供货状态。
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