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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IGP03N120H2由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IGP03N120H2价格参考。InfineonIGP03N120H2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IGP03N120H2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IGP03N120H2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IGP03N120H2 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的1200V、3A高速硬开关型IGBT单管,内置快速软恢复反并联二极管(H2系列特性),采用TO-220封装,具备低导通损耗(VCE(sat)典型值2.1V @ IC=3A)、高开关速度及良好短路耐受能力(10μs)。 其典型应用场景包括: ✅ 中小功率工业变频器:如风机、水泵、小型传送带驱动中的逆变级,适用于<1kW连续输出场合; ✅ 感应加热电源:作为半桥或全桥逆变主开关,利用其快速开关与软恢复二极管抑制电压尖峰,提升能效与EMI性能; ✅ UPS与通信电源:在在线式UPS的DC-AC逆变模块或高频DC-DC变换器的次级同步整流/有源钳位电路中,兼顾效率与可靠性; ✅ 光伏微逆变器与储能系统辅助电源:用于MPPT升压或DC-AC转换环节,满足高电压隔离与紧凑设计需求; ✅ 家电与白色家电:如高端变频空调压缩机驱动、电磁炉主开关等对成本、尺寸和温升敏感的应用。 该器件不适用于大电流连续导通或极高频率(>100kHz)硬开关场景,但凭借H2二极管的低反向恢复电荷(Qrr)和稳健的SOA,特别适合需兼顾效率、可靠性和EMC的中频(10–40kHz)硬开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 9.2ns/281ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 9.9A |
| 描述 | IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 22nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Infineon Technologies IGP03N120H2- |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IGP_W03N120H2_Rev2_6[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123b933c0ae00f4 |
| 产品型号 | IGP03N120H2 |
| SwitchingEnergy | 290µJ |
| TestCondition | 800V, 3A, 82 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.8V @ 15V,3A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
| 其它名称 | IGP03N120H2XKSA1 |
| 功率-最大值 | 62.5W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-263-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 9.6A |
| 系列 | IGP03N120 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1200 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 9.6 A |
| 零件号别名 | IGP03N120H2XKSA1 SP000683038 |