【未分类_IDW12G65C5FKSA1】封装/厂家_IDW12G65C5FKSA1中文资料_价格

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型号： IDW12G65C5FKSA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IDW12G65C5FKSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IDW12G65C5FKSA1价格参考。InfineonIDW12G65C5FKSA1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IDW12G65C5FKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IDW12G65C5FKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IDW12G65C5FKSA1 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的650V/12A高性能碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD），采用TO-247-3封装。其核心优势在于零反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）、高开关速度、低导通压降（典型VF ≈ 1.5V @ 12A）及优异的高温稳定性（可连续工作于175°C结温）。

主要应用场景包括：  
1. 高频开关电源（如服务器/通信电源、5G基站电源）：替代传统硅快恢复二极管（FRD），显著降低开关损耗与EMI，提升效率（>96%）和功率密度；  
2. 光伏逆变器（尤其是组串式逆变器）：作为升压级续流二极管或逆变桥臂反并联二极管，提升MPPT效率与系统可靠性；  
3. 新能源汽车车载充电机（OBC）与DC-DC转换器：支持高频率（100kHz以上）软开关设计，减小磁性元件体积，满足AEC-Q101车规认证要求；  
4. 工业电机驱动与UPS系统：在PFC前端或逆变输出端实现高效整流与续流，增强系统热管理能力。

该器件不适用于工频整流（如传统线性电源），因其成本与特性更适配中高频、高效率、高可靠性需求场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
品牌	Infineon Technologies
产品目录	半导体
描述	肖特基二极管与整流器 SIC DIODES
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS
产品系列	二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Infineon Technologies IDW12G65C5FKSA1
产品型号	IDW12G65C5FKSA1
产品	Schottky Silicon Carbide Diodes
产品种类	肖特基二极管与整流器
商标	Infineon Technologies
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/箱体	TO-247-3
峰值反向电压	650 V
工作温度范围	- 55 C to + 175 C
工厂包装数量	240
技术	SiC
最大二极管电容	360 pF
最大功率耗散	76 W
最大工作温度	+ 175 C
最大浪涌电流	71 A
最小工作温度	- 55 C
正向连续电流	12 A
系列	IDW12G65
零件号别名	SP000937044