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产品简介:
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IDT71V424S10Y8 是由 Integrated Device Technology(IDT)公司生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM),具体为32K x 8位的高速异步SRAM。该芯片具有高速访问时间(典型为10ns)、低功耗和高可靠性的特点,适用于对数据存取速度要求较高的系统。 该器件广泛应用于通信设备、网络交换与路由设备、工业控制、测试仪器、医疗设备以及高性能嵌入式系统中,作为高速缓存或临时数据存储单元。例如,在路由器或交换机中,该SRAM可用于快速存储和转发数据包信息;在工业控制系统中,可用于实时数据缓冲和处理。 此外,该芯片也适用于需要快速响应和高频操作的场景,如图像处理、雷达系统和高速数据采集设备。其异步接口设计使其在与多种主控芯片(如FPGA、DSP、微处理器)连接时具有较高的兼容性和灵活性。 总之,IDT71V424S10Y8适用于对速度、稳定性和实时性有较高要求的电子系统中,是高性能SRAM解决方案的重要选择之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 数据手册 | http://www.idt.com/document/71v424-data-sheet点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IDT71V424S10Y8 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 36-SOJ |
| 其它名称 | 71V424S10Y8 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 存储器类型 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 4M (512K x 8) |
| 封装/外壳 | 36-BSOJ |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 500 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 10ns |