Datasheet下载- 型号： IDT7164S35YG8
- 制造商： Integrated Device Technology
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IDT7164S35YG8由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IDT7164S35YG8价格参考。Integrated Device TechnologyIDT7164S35YG8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IDT7164S35YG8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IDT7164S35YG8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IDT7164S35YG8是IDT（Integrated Device Technology Inc.）公司推出的一款高速静态随机存取存储器（SRAM），容量为64K x 8位（即512Kb），工作电压为5V，存取速度为35纳秒。该芯片采用CMOS工艺制造，具有低功耗、高可靠性和快速响应的特点。 该型号主要应用于对数据读写速度和稳定性要求较高的工业与通信领域。常见应用场景包括网络通信设备（如路由器、交换机）中的缓存存储，工业控制系统的实时数据暂存，以及测试测量仪器中的高速数据缓冲。此外，也广泛用于医疗设备、军事电子系统和航空电子设备中，作为关键的临时数据存储单元。 由于其工业级温度范围（-40°C至+85°C）和高抗干扰能力，IDT7164S35YG8适用于恶劣环境下的稳定运行。尽管当前部分领域已逐步转向更先进的存储技术，但在一些需要长生命周期支持和高可靠性的传统系统中，该型号仍被持续使用和维护。 综上，IDT7164S35YG8凭借其高速、稳定和耐用特性，在工业自动化、通信基础设施及高端电子设备中发挥着重要作用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 64KBIT 35NS 28SOJ |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 数据手册 | http://www.idt.com/document/7164sl-data-sheet点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IDT7164S35YG8 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 28-SOJ |
| 其它名称 | 7164S35YG8 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 64K （8K x 8） |
| 封装/外壳 | 28-BSOJ |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 速度 | 35ns |
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