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产品简介:
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IDT7164L20Y 是由 Integrated Device Technology, Inc.(IDT)生产的一款存储器产品,具体为静态随机存取存储器(SRAM)。该型号属于同步 Burst SRAM 系列,具有高速、低延迟和高可靠性的特点,广泛应用于需要快速数据访问和处理的场景。以下是其主要应用场景: 1. 网络通信设备: IDT7164L20Y 常用于路由器、交换机和其他网络设备中,作为缓存或临时存储单元,支持数据包缓冲、流量管理和协议处理等功能。其高带宽和低延迟特性能够满足实时数据传输的需求。 2. 图形与图像处理: 在图形加速卡或图像处理系统中,该芯片可用作帧缓冲区或临时数据存储,支持快速读写操作,提升图形渲染和图像处理性能。 3. 嵌入式系统: 该型号适用于各种嵌入式系统,例如工业控制、医疗设备和消费电子。它可作为主处理器的外部缓存,提高数据处理速度,确保系统的实时性和稳定性。 4. 电信设备: 在基站、信号处理单元等电信设备中,IDT7164L20Y 可用作数据缓冲和临时存储,支持高速信号处理和数据交换。 5. 高性能计算(HPC): 在需要快速数据交换的高性能计算环境中,这款 SRAM 可用于临时数据存储或作为协处理器的缓存,减少数据访问延迟,提升整体计算效率。 总结来说,IDT7164L20Y 的应用场景主要集中于对速度和可靠性要求较高的领域,特别是在需要频繁数据访问和快速响应的系统中发挥重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 64KBIT 20NS 28SOJ |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 数据手册 | http://www.idt.com/document/7164sl-data-sheet点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IDT7164L20Y |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 28-SOJ |
| 其它名称 | 7164L20Y |
| 包装 | 管件 |
| 存储器类型 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 64K (8K x 8) |
| 封装/外壳 | 28-BSOJ |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 27 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 速度 | 20ns |