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产品简介:
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IDT71024S12TY是由Integrated Device Technology Inc(IDT)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM),容量为256K x 4位,工作电压为3.3V,采用高速CMOS工艺制造,封装形式为TSOP,适用于对数据存取速度要求较高的系统设计。 该器件主要应用于通信设备、网络设备、工业控制、图像处理系统以及高性能计算设备中,作为高速缓存或临时数据存储单元。例如,在路由器、交换机等网络设备中,IDT71024S12TY可用于存储转发数据包的临时信息;在工业控制系统中,它可用于实时数据缓冲和高速I/O处理。 此外,该SRAM也适用于需要快速响应和稳定性能的嵌入式系统和消费类电子产品中。由于其高速访问时间(最快可达12ns),可有效提升系统整体运行效率,保障数据的快速读写与处理。其低功耗特性也使其适用于对能效有一定要求的应用场景。 综上,IDT71024S12TY广泛应用于通信、网络、工业控制、图像处理及嵌入式系统等领域,是一款高性能、可靠的高速SRAM器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 数据手册 | http://www.idt.com/document/71024-data-sheet |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IDT71024S12TY |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 32-SOJ |
| 其它名称 | 71024S12TY |
| 包装 | 管件 |
| 存储器类型 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 1M (128K x 8) |
| 封装/外壳 | 32-BSOJ |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 23 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 速度 | 12ns |