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  • 型号: HZU4BLLTRF-E
  • 制造商: RENESAS ELECTRONICS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HZU4BLLTRF-E由RENESAS ELECTRONICS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HZU4BLLTRF-E价格参考。RENESAS ELECTRONICSHZU4BLLTRF-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HZU4BLLTRF-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HZU4BLLTRF-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HZU4BLLTRF-E 是罗姆(ROHM)公司推出的超低容值、高精度齐纳二极管,标称稳压值为4.7V(典型值),容差±1%,动态阻抗低(约120Ω),结电容仅约0.5pF(f = 1MHz),采用小型SOD-323(SC-76)封装。其核心优势在于极低电容与高稳定性,专为高频、高精度电压基准和噪声敏感场景优化。

主要应用场景包括:  
1. 射频(RF)电路中的偏置稳压:如LNA、混频器、VCO等模块的低噪声偏置电源,低结电容可避免信号耦合与带宽劣化;  
2. 高速ADC/DAC参考电压缓冲:作为精密基准分压或退耦元件,抑制高频干扰,提升信噪比(SNR)和无杂散动态范围(SFDR);  
3. 时钟发生器与PLL供电滤波:为振荡电路提供洁净、稳定的偏置,降低相位噪声;  
4. 便携式设备中的低功耗基准源:适用于TWS耳机、可穿戴设备等对尺寸、功耗和EMI敏感的应用,支持微安级工作电流下的稳定稳压。

该器件不适用于大电流稳压或功率调节场合,而是面向信号链前端及高频模拟电路中对电压精度、噪声和寄生参数要求严苛的精密基准需求。
产品参数 图文手册 常见问题
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