图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HZS4B3TD-E由RNS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HZS4B3TD-E价格参考。RNSHZS4B3TD-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HZS4B3TD-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HZS4B3TD-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HZS4B3TD-E 是罗姆(ROHM)公司推出的表面贴装型齐纳二极管,标称稳压值为3.3 V(容差±5%),最大功率耗散为200 mW,采用小型SOD-523封装(1.6 × 0.8 × 0.7 mm)。其典型应用场景包括: 1. 低功耗电压基准与稳压:为微控制器(MCU)、传感器、ADC/DAC等模拟或数字电路提供稳定参考电压,尤其适用于电池供电的便携设备(如可穿戴设备、IoT节点),因其低静态电流(IZK ≈ 1 μA)和良好温度稳定性。 2. 过压保护与箝位:与TVS或串联限流电阻配合,用于ESD防护或信号线电压箝位(如I²C、UART接口),将瞬态电压限制在3.3 V安全范围内,防止后级低压IC损坏。 3. 电源轨监控与复位电路:配合比较器或专用复位芯片,监测3.3 V电源是否达标,实现上电复位(POR)或欠压复位(BOD)功能。 4. 低成本分立稳压方案:在对精度要求不高、电流需求小(<10 mA)的场合(如LED偏置、偏置网络、逻辑电平转换),替代LDO简化设计、降低成本与PCB面积。 该器件具备优异的长期稳定性、低噪声及AEC-Q200认证(车规级),亦可用于汽车电子中的非关键辅助电路(如车身控制模块的传感器供电参考)。需注意:不可用于大电流稳压,应严格遵守功率降额曲线(高温下需降低功耗)。