【未分类_HZS3ALLTD-E】封装/厂家_HZS3ALLTD-E中文资料_价格

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型号： HZS3ALLTD-E
制造商： RENESAS ELECTRONICS
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HZS3ALLTD-E由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HZS3ALLTD-E价格参考。RENESAS ELECTRONICSHZS3ALLTD-E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HZS3ALLTD-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HZS3ALLTD-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HZS3ALLTD-E 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的超低容值、高精度齐纳二极管，标称稳压值为3.0 V（±2%），典型动态阻抗仅150 Ω，结电容低至0.4 pF（@0 V, 1 MHz），采用超小型SOD-923封装（1.0 × 0.6 mm）。其核心应用场景聚焦于高频率、低噪声、空间受限的精密电压基准与ESD保护协同设计场景：  
1. 高速接口端口的静电防护+基准参考：常用于USB 2.0、HDMI、MIPI D-PHY等接口的I/O引脚，利用其极低结电容避免信号衰减与眼图劣化，同时提供稳定3.0 V钳位电压，兼顾ESD瞬态抑制（IEC 61000-4-2 Level 4）与参考电压稳定性；  
2. 低功耗传感器节点的基准源：适用于物联网终端中MCU ADC、比较器或RTC模块的本地3.0 V基准，凭借低漏电流（<100 nA @ 1 V）和优异温度稳定性（TC ≈ ±0.02%/°C），保障微弱信号采集精度；  
3. 便携式设备电源轨监控：在电池供电设备中监测3.3 V/3.0 V系统电源，配合监控IC实现欠压复位（UVLO），其小尺寸与低寄生特性适配高密度PCB布局。  
需注意：该器件非标准功率齐纳，不适用于大电流稳压（额定功耗仅200 mW），设计时应严格控制工作电流（推荐5–20 mA）以兼顾精度与温升。

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