【未分类_HZS33NB4TD-E】封装/厂家_HZS33NB4TD-E中文资料_价格

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型号： HZS33NB4TD-E
制造商： RNS
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HZS33NB4TD-E由RNS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HZS33NB4TD-E价格参考。RNSHZS33NB4TD-E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HZS33NB4TD-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HZS33NB4TD-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HZS33NB4TD-E 是罗姆（ROHM）公司推出的表面贴装型齐纳二极管，标称稳压值为33 V（容差±5%），功率为200 mW，采用小型SOD-323（SC-76）封装。其典型应用场景包括：

1. 低功耗电压基准与稳压：适用于便携式设备、传感器模块或MCU外围电路中，为ADC参考源、比较器阈值或电源监控电路提供稳定基准电压。

2. 过压保护（OVP）辅助电路：常与TVS或MOSFET配合，用于检测输入电压是否超过33 V，触发关断或告警，常见于USB PD适配器、工业传感器供电接口等。

3. 反馈环路中的精密限压：在DC-DC转换器（如反激式辅助绕组反馈）或线性稳压器（LDO）的使能/欠压锁定（UVLO/OVLO）电路中，实现33 V阈值判断。

4. ESD敏感电路的箝位保护：利用其快速响应和低动态阻抗特性，在信号线（如I²C、UART）上作二级ESD防护，抑制瞬态高压至安全电平。

该器件具备优异的温度稳定性（TC ≈ ±0.07%/°C）、低漏电流（IR < 100 nA @ 24.8 V）及高可靠性，适合汽车电子（符合AEC-Q200）、工业控制及消费类电子中对尺寸、功耗与稳定性要求较高的场景。注意需配合限流电阻使用，避免超功耗。

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