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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HZS30NB3TD-E由RNS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HZS30NB3TD-E价格参考。RNSHZS30NB3TD-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HZS30NB3TD-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HZS30NB3TD-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HZS30NB3TD-E 是罗姆(ROHM)公司生产的表面贴装型齐纳二极管,标称稳压值为30V(容差±5%),最大功率耗散为200mW,采用小型SOD-323(SC-76)封装。其典型应用场景包括: 1. 电压基准与参考:在低功耗电源管理电路、传感器信号调理或ADC/DAC参考电路中,提供稳定30V基准电压(需配合限流电阻使用); 2. 过压保护(OVP)钳位:用于保护后级敏感器件(如MCU I/O口、运放输入端),当输入电压瞬态超过30V时,齐纳击穿导通,将电压钳位于约30V,吸收异常能量; 3. 浪涌抑制:配合TVS或RC网络,抑制ESD或EFT引起的短时高压脉冲(适用于≤200mW持续功耗场景); 4. 简易稳压/偏置电路:在便携式设备、LED驱动或小电流模拟电路中,为特定模块提供低成本、低精度稳压偏置(如光耦供电、比较器阈值设定)。 注意:该器件为单极性齐纳管,仅适用于直流或低频稳压/钳位;不适用于大电流或高频开关应用;实际设计中需严格计算功耗并确保散热条件满足额定值。因其小型化封装和高可靠性,常见于消费电子、工业控制板及汽车电子(符合AEC-Q101)等紧凑型设备中。