【未分类_HZM6.8MWATR-E】封装/厂家_HZM6.8MWATR-E中文资料_价格

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型号： HZM6.8MWATR-E
制造商： RENESAS ELECTRONICS
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HZM6.8MWATR-E由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HZM6.8MWATR-E价格参考。RENESAS ELECTRONICSHZM6.8MWATR-E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HZM6.8MWATR-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HZM6.8MWATR-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HZM6.8MWATR-E 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的表面贴装型TVS（瞬态电压抑制）二极管，标称击穿电压为6.8V（典型值），低钳位电压、快速响应（ps级），采用小型SOD-323封装，适用于空间受限的精密电路保护。

主要应用场景包括：  
1. USB接口保护：用于USB 2.0/3.0数据线（D+/D−）及电源线（VBUS），抵御ESD（±15kV接触放电）、EFT及浪涌；  
2. 便携式设备I/O端口防护：如智能手机、平板、TWS耳机中的麦克风、按键、传感器信号线等低压敏感线路；  
3. 汽车电子辅助系统：在非CAN/LIN主干网的低压子模块中（如车载摄像头供电/控制线、环境光传感器接口），提供IEC 61000-4-2 Level 4 ESD防护；  
4. 工业HMI与IoT节点：保护MCU GPIO、ADC输入、UART/SPI通信引脚免受静电及感应瞬变干扰；  
5. 电源轨后级保护：在LDO或DC-DC输出端（如3.3V/5V系统）旁路使用，抑制电源耦合的快变噪声。

该器件具有低漏电流（<1 μA @ 5V）、高ESD耐受能力（IEC 61000-4-2 ±15kV）及AEC-Q200兼容性（部分批次），兼顾消费类与车规边缘应用。需注意其功率等级有限（峰值脉冲功率约200W），不适用于大能量雷击或长持续时间浪涌场景，宜配合保险丝或PTC协同使用。

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