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  • 型号: HZ3C3TD-E
  • 制造商: RNS
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HZ3C3TD-E由RNS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HZ3C3TD-E价格参考。RNSHZ3C3TD-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HZ3C3TD-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HZ3C3TD-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HZ3C3TD-E 是瑞萨电子(Renesas Electronics America Inc.)出品的一款小信号齐纳二极管,标称稳压值为3.3 V(±5%),最大稳定电流5 mA,采用超小型SOD-323(SC-76)封装,具有低功耗、高可靠性与优良温度稳定性。

其典型应用场景包括:  
1. 低电压基准源:为传感器、ADC/DAC、微控制器(如瑞萨RA系列)的参考电压电路提供精确、稳定的3.3 V基准;  
2. 电源轨箝位与过压保护:在3.3 V逻辑系统(如I²C、SPI总线、GPIO接口)中,配合限流电阻用作ESD防护或瞬态电压抑制,防止后级IC因轻微过压损坏;  
3. 低成本稳压与偏置电路:适用于电池供电设备(如可穿戴设备、IoT节点)中对精度要求不苛刻的模拟前端偏置、LED恒流驱动基准或运放偏置网络;  
4. 嵌入式系统电源监控:与比较器配合实现简易的欠压检测(UVLO)功能。

该器件不适用于大电流稳压(如LDO替代),但凭借其微型封装、低漏电(IR < 100 nA @ VR)、快速响应及AEC-Q200兼容性(部分批次),也常见于汽车电子中的车身控制模块(BCM)辅助电路及工业传感器接口中。使用时需注意串联限流电阻设计,确保工作点位于齐纳击穿区且功耗低于200 mW额定值。
产品参数 图文手册 常见问题
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