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- 型号： HVC369BTRF-E
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HVC369BTRF-E由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HVC369BTRF-E价格参考。RENESAS ELECTRONICSHVC369BTRF-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HVC369BTRF-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HVC369BTRF-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HVC369BTRF-E 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的高性能硅基变容二极管（Varactor Diode），专为高频、宽带调谐应用优化。其典型应用场景包括： 1. 无线通信射频前端：用于VCO（压控振荡器）、PLL（锁相环）频率合成器中，实现宽范围、低相噪的频率调谐，支持4G LTE、5G Sub-6 GHz及Wi-Fi 6/6E等多频段系统。 2. 可调谐滤波器与匹配网络：在天线调谐（Antenna Tuning）和阻抗匹配模块中，动态补偿天线因环境（如手握、外壳影响）导致的失谐，提升发射效率与接收灵敏度。 3. 汽车雷达与工业雷达：适用于77–81 GHz车载毫米波雷达的本地振荡器（LO）调谐链路（通过倍频+变容调谐），满足AEC-Q200可靠性要求（该器件符合车规级标准）。 4. 测试测量设备：在矢量网络分析仪（VNA）、信号发生器等高端仪器中，作为快速、稳定的电调谐元件，支持高Q值与低串联电阻（Rs）带来的优异调谐线性度与效率。 该器件具有高C₀（标称36 pF @ 1 V）、大电容比（C₁/C₂₀ > 10:1）、低漏电流（<1 nA）及优良温度稳定性，采用小型SOT-23封装，适合高密度PCB布局。广泛应用于基站、智能终端、ADAS系统及工业物联网设备中需精密射频调谐的关键环节。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE VCO VAR CAP 15V UFP |
| 产品分类 | 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HVC369BTRF-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Vr、F时的Q值 | - |
| 不同 Vr、F时的电容 | 2.15pF @ 4V，1MHz |
| 二极管类型 | 单一 |
| 供应商器件封装 | 2-UFP |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-79，SOD-523 |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-峰值反向（最大值） | 15V |
| 电容比 | 2.3 |
| 电容比条件 | C1/C4 |
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