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- 型号： HVC316TRU-E
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HVC316TRU-E由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HVC316TRU-E价格参考。RENESAS ELECTRONICSHVC316TRU-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HVC316TRU-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HVC316TRU-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HVC316TRU-E 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的高性能硅基高压可变电容二极管（Varactor Diode），专为射频调谐应用设计。其典型应用场景包括： - VCO（压控振荡器）调谐：在无线通信系统（如蜂窝基站、微波回传、5G小基站）中，用于实现宽频带、高线性度的频率调谐； - RF滤波器与匹配网络动态调谐：配合天线调谐器（Antenna Tuning）或可重构滤波器，在多频段/多模终端（如智能手机、物联网模块）中优化射频前端效率与带宽； - 相控阵雷达与卫星通信T/R模块：利用其高Q值（>100 @ 2 GHz）、低相位噪声特性和±20 V反向耐压能力，支持高频（DC–2.5 GHz）稳定调谐； - 工业与汽车雷达系统：适用于77/79 GHz ADAS雷达的本振（LO）链路调谐，提升频率精度与温度稳定性（工作结温范围：–40°C 至 +125°C）。 该器件采用超小型UDFN-6（1.6 × 1.6 mm）封装，具备低串联电阻（Rs < 1.2 Ω）和优异的C-V线性度（K系数优化），便于集成于高密度射频PCB。需注意其为无铅、符合RoHS标准，但不适用于正向偏置或大电流场景，仅限反向偏压下作为电容元件使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE VARICAP BS/CS TUNER UFP |
| 产品分类 | 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HVC316TRU-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Vr、F时的Q值 | - |
| 不同 Vr、F时的电容 | 0.76pF @ 25V，1MHz |
| 二极管类型 | 单一 |
| 供应商器件封装 | 2-UFP |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-79，SOD-523 |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-峰值反向（最大值） | 30V |
| 电容比 | 9 |
| 电容比条件 | C1/C25 |
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