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产品简介:
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ON Semiconductor 的 HUFA76639S3S 是一款 N 沟道增强型高压功率 MOSFET(采用 TO-220AB 封装),具有 600 V 耐压、14 A 连续漏极电流(Tc=25°C)、典型导通电阻 Rds(on) ≈ 0.28 Ω(Vgs=10 V),具备快速开关特性与内置体二极管。 其主要应用场景包括: ✅ 开关电源(SMPS):广泛用于 AC-DC 适配器、PC 电源、LED 驱动电源中的主开关管或PFC升压开关; ✅ 工业控制与电机驱动:适用于中小功率通用变频器、风扇/泵类电机的H桥或单管驱动电路; ✅ 照明电子:在高亮度LED恒流驱动电路中作为PWM调光开关或隔离式反激/正激拓扑的功率开关; ✅ 家电与白色家电:如微波炉、空调压缩机控制、电磁炉IGBT驱动级辅助开关等需600V耐压与可靠开关性能的场合; ✅ 不间断电源(UPS)与逆变器:在离线式逆变模块中承担DC-AC转换的高频开关任务(需配合驱动与保护设计)。 该器件强调高雪崩耐量与热稳定性,适合硬开关应用。注意:实际使用中需合理设计栅极驱动(推荐10–15 V驱动电压)、加装RC缓冲电路,并确保散热器足够以维持结温低于150°C。不适用于同步整流(无逻辑电平兼容性)或超低导通损耗要求严苛的场合(可选更低Rds(on)型号)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | HUFA76639S3S |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 86nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 26 毫欧 @ 51A,10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 180W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 51A (Tc) |