Datasheet下载- 型号： HUFA76609D3ST
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUFA76609D3ST由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUFA76609D3ST价格参考。Fairchild SemiconductorHUFA76609D3ST封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUFA76609D3ST参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUFA76609D3ST 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor 的 HUFA76609D3ST 是一款高压、高功率 N 沟道增强型 MOSFET（采用 TO-220AB 封装，带隔离散热片），主要面向工业级电源应用。其典型参数包括：VDSS = 600 V、ID（连续）= 14 A、RDS(on) ≈ 0.5 Ω（典型值）、具备雪崩耐量（UIS rated），并优化了开关速度与导通损耗的平衡。 该器件广泛应用于： ✅ 开关电源（SMPS）：如服务器/通信电源、工业 AC-DC 适配器中的主开关管； ✅ PFC（功率因数校正）电路：尤其适用于临界导通模式（CrM）或连续导通模式（CCM）升压 PFC； ✅ DC-DC 转换器：在中高功率隔离式拓扑（如 LLC、双端反激）中作主开关； ✅ 电机驱动与逆变器：适用于中小功率通用变频器、风机/泵类驱动的功率级； ✅ LED 驱动电源：支持高输入电压（如市电直驱）的大功率恒流驱动方案； ✅ 不间断电源（UPS）及电池管理系统（BMS）中的高压侧开关。 其 TO-220AB 封装兼顾散热性与安装便利性，适合对可靠性、热稳定性及抗浪涌能力要求较高的工业环境。不推荐用于高频（>500 kHz）或超低导通损耗优先的消费类轻载场景。实际选型需结合驱动能力、PCB 散热设计及安全裕量综合评估。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUFA76609D3ST |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 425pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 160 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | HUFA76609D3STDKR |
| 功率-最大值 | 49W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Tc） |
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