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产品简介:
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HUFA76445S3S 是安森美(onsemi)推出的 N 沟道增强型高压功率 MOSFET,采用 TO-247AD 封装,具有 600 V 耐压、38 A(Tc=25°C)连续漏极电流及低导通电阻(Rds(on) 典型值 0.065 Ω),具备快速开关特性与良好的雪崩耐量。 其典型应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):广泛用于 AC-DC 适配器、PC 电源、服务器电源的主开关管或PFC(功率因数校正)升压电路中,支持高频硬开关与准谐振工作模式; 2. 工业电机驱动:适用于中小功率变频器、泵/风机控制模块中的逆变桥上管或下管; 3. LED 驱动电源:在高效率、高可靠性离线式 LED 恒流驱动方案中用作主控开关; 4. 不间断电源(UPS)与太阳能逆变器:承担 DC-AC 逆变级的功率切换任务,兼顾效率与热稳定性; 5. 电磁加热(如 IH 炉具):在半桥/全桥谐振拓扑中作为高频(20–100 kHz)功率开关,发挥其低导通损耗与强抗dv/dt能力优势。 该器件内置快速恢复体二极管,优化换流性能;符合 RoHS 标准,适用于需高可靠性、宽温度范围(-55°C 至 +150°C)运行的工业及消费类电源系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | HUFA76445S3S |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4965pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 150nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6.5 毫欧 @ 75A,10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 310W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tc) |