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  • 型号: HUFA76407DK8T
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HUFA76407DK8T由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUFA76407DK8T价格参考。Fairchild SemiconductorHUFA76407DK8T封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HUFA76407DK8T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HUFA76407DK8T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor 的 HUFA76407DK8T 是一款双通道 N 沟道增强型功率 MOSFET 阵列(采用 8-pin SOIC 封装),具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 12 mΩ @ VGS = 10 V)、高电流能力(ID = 30 A 每通道)及雪崩额定设计,适用于中高功率开关场景。

典型应用场景包括:  
✅ DC-DC 电源转换:如多相降压转换器(Buck Converter)中的同步整流开关,提升效率并减小热损耗;  
✅ 电机驱动电路:用于小型直流无刷电机(BLDC)或步进电机的 H 桥/半桥驱动,双通道结构便于紧凑布局;  
✅ 负载开关与电源管理:在工业控制、通信设备或嵌入式系统中实现高效、快速的电源通断控制(如热插拔保护、电源轨隔离);  
✅ LED 驱动与照明系统:驱动中大功率 LED 阵列,支持 PWM 调光,具备良好热稳定性和抗浪涌能力;  
✅ 汽车电子辅助系统:符合 AEC-Q101 认证(注:需确认具体批次是否通过,但该系列常用于车规级设计),适用于车身控制模块(BCM)、座椅/车窗驱动等 12 V 系统。

其集成双 MOSFET 结构节省 PCB 面积,SOIC-8 封装兼顾散热与量产性,配合低栅极电荷(Qg ≈ 25 nC),适合高频(≤500 kHz)开关应用。需注意合理设计驱动电路与PCB散热焊盘以保障可靠性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH DUAL 60V 3.5A 8-SOIC

产品分类

FET - 阵列

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

产品型号

HUFA76407DK8T

PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

UltraFET™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

330pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

11.2nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

90 毫欧 @ 3.8A,10V

供应商器件封装

8-SOIC N

功率-最大值

2.5W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.5A

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