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产品简介:
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ON Semiconductor 的 HUFA76407DK8T 是一款双通道 N 沟道增强型功率 MOSFET 阵列(采用 8-pin SOIC 封装),具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 12 mΩ @ VGS = 10 V)、高电流能力(ID = 30 A 每通道)及雪崩额定设计,适用于中高功率开关场景。 典型应用场景包括: ✅ DC-DC 电源转换:如多相降压转换器(Buck Converter)中的同步整流开关,提升效率并减小热损耗; ✅ 电机驱动电路:用于小型直流无刷电机(BLDC)或步进电机的 H 桥/半桥驱动,双通道结构便于紧凑布局; ✅ 负载开关与电源管理:在工业控制、通信设备或嵌入式系统中实现高效、快速的电源通断控制(如热插拔保护、电源轨隔离); ✅ LED 驱动与照明系统:驱动中大功率 LED 阵列,支持 PWM 调光,具备良好热稳定性和抗浪涌能力; ✅ 汽车电子辅助系统:符合 AEC-Q101 认证(注:需确认具体批次是否通过,但该系列常用于车规级设计),适用于车身控制模块(BCM)、座椅/车窗驱动等 12 V 系统。 其集成双 MOSFET 结构节省 PCB 面积,SOIC-8 封装兼顾散热与量产性,配合低栅极电荷(Qg ≈ 25 nC),适合高频(≤500 kHz)开关应用。需注意合理设计驱动电路与PCB散热焊盘以保障可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 60V 3.5A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUFA76407DK8T |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 330pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 90 毫欧 @ 3.8A,10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.5A |