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产品简介:
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ON Semiconductor 的 HUFA75332S3ST 是一款 N 沟道增强型高压功率 MOSFET,采用 TO-220AB 封装,具备 500V 耐压、14A 连续漏极电流(Tc=25°C)、低导通电阻(Rds(on) 典型值 0.28Ω)及快速开关特性。其典型应用场景包括: - 开关电源(SMPS):广泛用于 AC-DC 适配器、PC 电源、LED 驱动电源中的主开关管或PFC(功率因数校正)升压开关,可高效处理中高功率(约100–300W级)转换。 - 电机控制:适用于中小功率直流无刷电机(BLDC)驱动、家电(如变频空调压缩机、洗衣机驱动板)中的半桥/全桥逆变电路。 - 工业控制与电源模块:用于工业继电器替代、PLC 输出驱动、UPS 旁路开关及DC-DC隔离变换器的初级侧开关。 - 照明系统:在高亮度 LED 恒流驱动器中作为 PWM 调光开关或恒压/恒流调节元件。 该器件内置体二极管,具备一定抗雪崩能力,适合硬开关应用;但不推荐用于高频(>100kHz)场景(受封装电感限制),且需注意散热设计(TO-220 封装需配合适当散热器)。典型工作温度范围为 -55°C 至 +175°C(结温),适合工业及严苛环境应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUFA75332S3ST |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 85nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 19 毫欧 @ 60A,10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 145W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 60A (Tc) |