Datasheet下载- 型号： HUFA75332S3S
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUFA75332S3S由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUFA75332S3S价格参考。Fairchild SemiconductorHUFA75332S3S封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUFA75332S3S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUFA75332S3S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor 的 HUFA75332S3S 是一款 N 沟道增强型高压功率 MOSFET（采用 TO-220AB 封装），主要面向高效率、高可靠性的中高功率开关应用。其典型参数包括：VDSS = 500 V，ID（连续）= 7.5 A，RDS(on) ≈ 0.6 Ω（@ VGS = 10 V），具备快速开关特性和低栅极电荷，适合高频硬开关场景。 典型应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：用于 AC-DC 适配器、PC 电源、工业电源中的主开关管或PFC升压开关； ✅ 照明电子镇流器与LED驱动电源：在高频隔离/非隔离LED恒流驱动中作为功率开关； ✅ 电机控制：适用于中小功率（如风扇、泵、电动工具）的单相逆变或H桥驱动； ✅ 家电与工业控制：如微波炉磁控管驱动、电磁炉谐振逆变、PLC输出模块等需耐压与抗干扰能力的场合； ✅ UPS与电池管理系统：用作DC-DC变换器或后备电源切换开关。 该器件具备雪崩额定能力（UIS），增强了系统鲁棒性；TO-220封装便于散热与传统产线装配，适合对成本、可靠性及温升有综合要求的中端工业与消费类电源设计。注意：实际应用中需配合合理驱动电路（如栅极电阻匹配）、散热设计及过压/过流保护。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUFA75332S3S |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 85nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 19 毫欧 @ 60A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 145W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
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