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- 型号： HUF76439S3S
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF76439S3S由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF76439S3S价格参考。Fairchild SemiconductorHUF76439S3S封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF76439S3S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF76439S3S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF76439S3S 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 18 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 58 A）及优良的开关特性。其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于中大功率开关电源（如服务器电源、工业电源）的同步整流或主开关管，提升效率与热性能； - 电机驱动：适用于直流无刷电机（BLDC）控制器、步进电机驱动中的H桥上下臂开关，支持高频PWM调速； - 负载开关与电源管理：在嵌入式系统、工控设备中用作板级电源的智能启停控制（如热插拔、浪涌抑制）； - 逆变器与UPS系统：作为单相逆变桥臂器件，处理中小功率（≤1–2 kW）AC输出； - LED照明驱动：用于高亮度LED恒流驱动电路中的调光开关或隔离式反激/LLC拓扑的主开关。 该器件具备雪崩耐量（UIS rated），适合存在感性负载或电压尖峰的严苛环境；但需注意其栅极阈值电压（VGS(th) ≈ 2–4 V）较低，设计时应避免误开通，并建议使用足够驱动能力的栅极驱动IC。总体适用于对效率、可靠性和成本有综合要求的中高功率开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUF76439S3S |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2745pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 84nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12 毫欧 @ 75A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 180W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 400 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tc） |
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