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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF76419S3ST_F085由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF76419S3ST_F085价格参考。Fairchild SemiconductorHUF76419S3ST_F085封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HUF76419S3ST_F085参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HUF76419S3ST_F085 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 29A TO-263ABMOSFET 60V, 29A, 35mOhm N-Channel Mosfet |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 29 A |
| Id-连续漏极电流 | 29 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 | |
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor HUF76419S3ST_F085PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | HUF76419S3ST_F085 |
| Pd-PowerDissipation | 100 W |
| Pd-功率耗散 | 100 W |
| Qg-GateCharge | 23.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 23.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 35 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 35 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 上升时间 | 7.3 ns |
| 下降时间 | 4.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 870pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 35 毫欧 @ 29A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-263AB |
| 其它名称 | HUF76419S3ST_F085DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 100W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 1.312 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 29A (Tc) |
| 系列 | HUF76419 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |