Datasheet下载- 型号： HUF76419D3ST
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF76419D3ST由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF76419D3ST价格参考。Fairchild SemiconductorHUF76419D3ST封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF76419D3ST参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF76419D3ST 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF76419D3ST 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅11.5 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=75A）和快速开关特性。其主要应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于中大功率开关电源、服务器/通信设备的POL（负载点）转换器及同步整流电路，提升效率并减小热损耗。 2. 电机驱动：适用于中小功率直流电机、步进电机及风扇驱动模块，可承受脉冲电流，配合PWM控制实现高效调速。 3. 电源管理与保护：常用于电子保险丝（eFuse）、热插拔控制器、负载开关及过流/短路保护电路，利用其低Rds(on)和雪崩耐量保障系统可靠性。 4. 工业控制与照明：在LED恒流驱动电源、工业PLC输出级及固态继电器（SSR）中作为主开关器件，兼顾高可靠性和长寿命。 该器件具备100% UIS（非钳位感性开关）能力及良好的dv/dt抗扰性，适合中高频（≤100 kHz）硬开关应用。需注意合理设计栅极驱动（推荐Vgs=10V以确保充分导通）与散热（建议加装散热片），以发挥最佳性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 20A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUF76419D3ST |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 37 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Tc） |
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