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  • 型号: HUF76121S3
  • 制造商: Harris
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HUF76121S3由Harris设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF76121S3价格参考。HarrisHUF76121S3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HUF76121S3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HUF76121S3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HUF76121S3 是由 Harris Semiconductor(后被 Intersil 收购,现属瑞萨电子 Renesas)推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。其典型参数包括:VDS = 60 V、ID(连续)≈ 18 A(TC = 25°C)、RDS(on) ≈ 0.045 Ω(VGS = 10 V),采用 TO-220AB 封装,具备低导通电阻和良好开关特性。

该器件主要应用于中等功率直流开关场景,常见于:  
✅ 开关电源(SMPS):作为主开关管或同步整流管,用于 AC-DC 适配器、PC ATX 电源及工业电源的次级侧;  
✅ 电机驱动:驱动直流有刷电机(如电动工具、风扇、泵类)或步进电机的H桥下臂开关;  
✅ 负载开关与电源管理:在电池供电系统(如便携设备、UPS)中实现电源通断控制、反向电流阻断及过流保护;  
✅ LED 驱动电路:用于恒流调光或大功率 LED 的 PWM 调光开关;  
✅ 逆变器与DC-DC模块:在低压DC-AC或升降压转换器中承担高频开关功能。

需注意:HUF76121S3 不适用于高频射频或高压(>100 V)场合;设计时应确保栅极驱动电压充足(推荐 ≥10 V),并配合合理散热(如加装散热片),以发挥其低 RDS(on) 优势并保障长期可靠性。由于 Harris 已退出独立运营,当前供货多由 Renesas 或授权分销商提供,选型时建议核对最新数据手册(如 HUF76121S3-D 或替代型号 IRL7833 等)。
产品参数 图文手册 常见问题
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