Datasheet下载- 型号： HUF76013P3
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF76013P3由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF76013P3价格参考。Fairchild SemiconductorHUF76013P3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF76013P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF76013P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF76013P3 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值约0.013Ω @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=75A）及优良的开关特性。其主要应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的同步整流、降压（Buck）转换器等，提升效率并降低温升； - 电机驱动：适用于中小功率直流电机、步进电机驱动电路中的H桥或半桥开关，提供快速响应与可靠通断； - 负载开关与电源管理：在嵌入式系统、工控板卡中用作高侧/低侧电源开关，支持热插拔和浪涌电流抑制； - 电池管理系统（BMS）：用于电池保护电路中的充放电控制开关，配合保护IC实现过流、短路保护； - LED照明驱动：在高亮度LED恒流驱动或调光电路中作为PWM开关器件。 该器件具备雪崩耐量（UIS rated），具备一定抗瞬态过压能力，适合中高功率、中频（≤100kHz）开关应用。需注意合理设计栅极驱动（推荐Vgs=10V以确保充分导通）及散热措施（如加装散热片），以保障长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 20A TO-220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUF76013P3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 624pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 22 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 400 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Tc） |
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