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  • 型号: HUF75645S3ST_Q
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75645S3ST_Q由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75645S3ST_Q价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75645S3ST_Q封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HUF75645S3ST_Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HUF75645S3ST_Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HUF75645S3ST_Q(由Fairchild Semiconductor设计,现属onsemi)是一款双N沟道增强型逻辑电平MOSFET阵列(SO-8封装),具有低导通电阻(Rds(on)典型值为12mΩ @ Vgs=10V,22mΩ @ Vgs=4.5V)、快速开关特性及内置ESD保护。其典型应用场景包括:

- DC-DC电源转换:常用于同步降压(Buck)转换器的高/低端开关,尤其适用于负载点(POL)电源、CPU/GPU供电模块,提升效率并减小发热;  
- 电机驱动电路:在小型有刷直流电机或步进电机的H桥驱动中,作为双路功率开关,支持PWM调速与方向控制;  
- 热插拔与电源排序管理:利用其低阈值电压和快速关断能力,实现板级电源的软启动、浪涌电流抑制及多电源时序控制;  
- LED驱动与背光控制:用于中大电流LED串的开关调光(PWM dimming),尤其适用于笔记本/显示器背光系统;  
- 工业与消费类接口保护:在USB、SATA等接口的电源路径管理中,提供过流/反向阻断保护功能。

该器件符合AEC-Q101车规可靠性标准(Q后缀标识),亦适用于对可靠性要求较高的车载信息娱乐系统、ADAS辅助电源等场景。需注意其SO-8封装散热能力有限,高功率应用需配合合理PCB铜箔散热设计。
产品参数 图文手册 常见问题
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