Datasheet下载- 型号： HUF75637S3ST
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75637S3ST由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75637S3ST价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75637S3ST封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF75637S3ST参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF75637S3ST 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF75637S3ST 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅11mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=75A连续，脉冲达280A）及快速开关特性。其主要应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK变换器，提升效率并降低温升； 2. 电机驱动：适用于中小功率直流电机、步进电机的H桥驱动电路，支持高频PWM调速； 3. 负载开关与电源管理：在热插拔、电源排序、电池保护板中作为高效主开关，具备雪崩耐受能力（EAS=420mJ），提升系统鲁棒性； 4. 逆变器与UPS：在中小功率离网/后备式逆变器中承担功率开关功能； 5. LED驱动与照明电源：用于高效率恒流驱动电路或调光控制开关。 该器件工作结温范围宽（–55°C 至 +175°C），符合工业级可靠性要求，且具备无铅（Pb-free）和RoHS合规特性。需注意：实际应用中应合理设计栅极驱动（推荐Vgs=10V以确保充分导通）、配备足够散热（如加装散热片）及反向电压/浪涌抑制措施（如续流二极管、RC缓冲电路），以充分发挥其性能并保障长期稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUF75637S3ST |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 108nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 30 毫欧 @ 44A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 155W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 44A （Tc） |
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